Samsung приступит к выпуску продукции по технологиям SF3 и SF4X во второй половине следующего года

На этой неделе южнокорейская компания Samsung Electronics посвятила инвесторов в ближайшие планы по переходу к выпуску продукции по новым ступеням своих литографических технологий. Во второй половине следующего года она рассчитывает выпускать изделия с использованием второго поколения 3-нм техпроцесса (SF3), а также производительного варианта 4-нм технологии (SF4X).

Во второй половине следующего года, как отмечает AnandTech, южнокорейский гигант пообещал наладить массовый выпуск продукции с использованием второго поколения 3-нм технологии и четвёртого поколения 4-нм техпроцесса для высокопроизводительных компонентов (HPC). Рынок должен вернуться к росту, поскольку в мобильном сегменте наблюдается оживление, а также растёт спрос на компоненты для высокопроизводительных вычислений.

Техпроцесс SF3 станет важным обновлением по сравнению с уже существующим SF3E, который применяется для выпуска ограниченного ассортимента продукции вроде ускорителей майнинга криптовалют с достаточно простой архитектурой. Техпроцесс SF3, по словам представителей Samsung, предоставит возможность создавать более разнообразные компоненты, поскольку ширина канала транзисторов с окружающим затвором (GAA) будет варьироваться.



Прямого сравнения техпроцессов SF3E и SF3 компания избегает, но отмечает, что последний по сравнению с SF4 обеспечивает увеличение скорости переключения транзисторов на 22 % при неизменных энергопотреблении и плотности размещения элементов, либо снижения энергопотребления на 34 % при неизменных частотах и плотности транзисторов, а также позволяет в случае необходимости увеличить плотность размещения транзисторов на 21 %.

В общем, техпроцесс SF3 позволит создавать компоненты с более сложной структурой, а потому ассортимент чипов, выпускаемых по второму поколению 3-нм техпроцесса Samsung, должен будет расшириться по сравнению с первым поколением.